型号 | MB85RC04V | 封装 | SOP8 |
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功率 | 1MHz | 批号 | 15+ |
储存容量 | 4Kbit | 电压 | 3.0~ 5.5V |
工作温度 | -40-85°C | 擦写次数 | 10万 |
FRAM是集合了ROM和RAM两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力和低功耗。富士通半导体提供了采用串行(I2C和SPI)和并行外设的FRAM产品,目前4Kb至4Mb的产品也已量产。
与传统存储器相比,FRAM具有下列优势:
非易失性
即使没有上电,也可以保存所存储的信息。
与SRAM相比,无需后备电池(环保产品)
更高速度写入
像SRAM一样,可覆盖写入
不要求改写命令
对于擦/写操作,无等待时间
写入循环时间 =读取循环时间
写入时间: E2PROM的1/30,000
具有更高的读写耐久性
确保最大1012次循环(100万亿循环)/位的耐久力
耐久性:超过100万次的 E2PROM
具有更低的功耗
不要求采用充电泵电路
功耗:低于1/400的E2PROM
独立的FRAM存储器,因为具有Pseudo-SRAM I/F,因此与SRAM之间具有的高度兼容性。利用FRAM取代SRAM,您可以获得的优势如下:
采用SRAM,你需要检测其电池状态。但是FRAM却让你免去了进行电池检测的困扰。而且 FRAM不需要电池槽、防倒流二极管和更多的空间,而这些都是SRAM所需的。FRAM的单芯片解决方案可以节省空间和成本。
用过的电池成为工业废料。在生产过程中,与SRAM相比,FRAM能够降低一半的CO2排放量。FRAM对于环保有益。
与传统的非易失性存储器,如E2PROM和闪存相比,FRAM具有更快的写入、更高耐久力和更低功耗等优势。用FRAM取代E2PROM和闪存还具有更多优势,具体如下:
FRAM的高速写入能够在电源中断的瞬间备份数据。不仅如此,与E2PROM和闪存相比,FRAM能够更频繁的记录数据。当写入数据时,E2PROM和闪存需要高压,因此,消费的功率比FRAM更多。如果嵌入FRAM,那么电池供电器件中的电池的寿命将更长。
总之,FRAM具有下列优势:
在为每个产品写入出厂参数时,与E2PROM 和闪存相比,FRAM可以缩减写入时间。而且,FRAM可以为您提供一种芯片解决方案,避免采用几个存储器来保存数据,而E2PROM却不能实现。因此,利用FRAM可以降低总成本!
A.当写入出厂参数时,缩短了写入时间
B.减掉了产品上很多的部件
产品型号 | 存储器密度 | 电源电压 | 工作频率 | 工作温度 | 读取/写入 | 保证数据 | 封装 |
MB85RC1MT | 1Mbit | 1.8~ 3.6V | 3.4MHz | -40~+85℃ | 1013次 | 10年 (+85℃) | SOP-8 |
MB85RC512T | 512Kbit | 1.8~ 3.6V | 3.4MHz | -40~+85℃ | 1013次 | 10年 (+85℃) | SOP-8 |
MB85RC256V | 256Kbit | 2.7~ 5.5V | 1MHz | -40~+85℃ | 1012次 | 10年 (+70℃) | SOP-8 |
MB85RC128A | 128Kbit | 2.7~ 3.6V | 400KHz | -40~+85℃ | 1012次 | 10年 (+85℃) | SOP-8 |
MB85RC64 | 64Kbit | 2.7~ 3.6V | 400KHz | -40~+85℃ | 1012次 | 10年 (+85℃) | SOP-8 |
MB85RC64V | 64Kbit | 3.0~5.5V | 400KHz | -40~+85℃ | 1012次 | 10年 (+85℃) | SOP-8 |
MB85RC16 | 16Kbit | 2.7~ 3.6V | 1MHz | -40~+85℃ | 1012次 | 10年 (+85℃) | SOP-8 |
MB85RC16V | 16Kbit | 3.0~5.5V | 1MHz | -40~ +85℃ | 1012次 | 10年 (+85℃) | SOP-8 |
MB85RC04V | 4Kbit | 3.0~ 5.5V | 1MHz | -40~ +85℃ | 1012次 | 10年(+85℃) | SOP-8 |